Արտադրանքներ
Առաջնորդված դադարեցում
Առաջնորդված դադարեցում
Առաջնորդված դադարեցում
Հիմնական տեխնիկական բնութագրերը՝
Գնահատված հզորություն՝ 5-800 Վտ;
Հիմքի նյութեր՝ BeO, AlN, Al2O3
Անվանական դիմադրության արժեքը՝ 50Ω
Դիմադրության հանդուրժողականություն՝ ±5%, ±2%, ±1%
ջերմաստիճանի գործակից՝ <150 ppm/℃
Աշխատանքային ջերմաստիճանը՝ -55~+150℃
ROHS ստանդարտ. Համապատասխանում է
Կիրառելի ստանդարտ՝ Q/RFTYTR001-2022
Կապարի երկարությունը՝ L, ինչպես նշված է տվյալների թերթիկում
(կարող է հարմարեցվել հաճախորդի պահանջներին համապատասխան)
| Հզորություն(Արմ.) | Հաճախականություն | Չափսեր (միավոր՝ մմ) | ՀիմքՆյութ | Տվյալների թերթիկ (PDF) | |||||
| A | B | H | G | W | L | ||||
| 5W | 6 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
| 11 ԳՀց | 1.27 | 2.54 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 3.0 | ԱլՆ | RFT50N-05TJ1225 | |
| 10 Վտ | 4 ԳՀց | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | ԲեՕ | RFT50-10TM2550 |
| 6 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
| 8 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | ԲեՕ | RFT50-10TM0404 | |
| 10 ԳՀց | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | ԲեՕ | RFT50-10TM5035 | |
| 18 ԳՀց | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | ԲեՕ | RFT50-10TM5023 | |
| 20 Վտ | 4 ԳՀց | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | ԲեՕ | RFT50-20TM2550 |
| 6 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
| 8 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | ԲեՕ | RFT50-20TM0404 | |
| 10 ԳՀց | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | ԲեՕ | RFT50-20TM5035 | |
| 18 ԳՀց | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | ԲեՕ | RFT50-20TM5023 | |
| 30 Վտ | 6 ԳՀց | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ԱլՆ | RFT50N-30TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-30TM0606 | ||
| 60 Վտ | 6 ԳՀց | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ԱլՆ | RFT50N-60TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-60TM0606 | ||
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-60TJ6363 | ||
| 100 Վտ | 3 ԳՀց | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ԱլՆ | RFT50N-100TJ6395 |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | ԱլՆ | RFT50N-100TJ8957 | ||
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-100TJ9595 | ||
| 4 ԳՀց | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-100TJ1010 | |
| 6 ԳՀց | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-100TJ6363 | |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | ԱլՆ | RFT50N-100TJ8957B | ||
| 8 ԳՀց | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-100TJ0906C | |
| 150 Վտ | 3 ԳՀց | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ԱլՆ | RFT50N-150TJ6395 |
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-150TJ9595 | ||
| 4 ԳՀց | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-150TJ1010 | |
| 6 ԳՀց | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-150TJ1010B | |
| 200 Վտ | 3 ԳՀց | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-200TJ9595 |
| 4 ԳՀց | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-200TJ1010 | |
| 10 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-200TM1313B | |
| 250 Վտ | 3 ԳՀց | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-250TM1210 |
| 10 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-250TM1313B | |
| 300 Վտ | 3 ԳՀց | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-300TM1210 |
| 10 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-300TM1313B | |
| 400 Վտ | 2 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-400TM1313 |
| 500 Վտ | 2 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | ԲեՕ | RFT50-500TM1313 |
| 800 Վտ | 1 ԳՀց | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | ԲեՕ | RFT50-800TM2525 |
Ընդհանուր տեսք
Առաջատար տերմինացումը կատարվում է համապատասխան ենթաշերտի չափի և նյութերի ընտրությամբ՝ հիմնվելով տարբեր հաճախականության և հզորության պահանջների վրա՝ դիմադրության, սխեմայի տպագրության և սինթերացման միջոցով: Հաճախ օգտագործվող ենթաշերտի նյութերը կարող են հիմնականում լինել բերիլիումի օքսիդ, ալյումինի նիտրիդ, ալյումինի օքսիդ կամ ավելի լավ ջերմության ցրման նյութեր:
Կապարային ածխածնային ...
