Չիպի ավարտ
Հիմնական տեխնիկական բնութագրերը՝
Գնահատված հզորություն՝ 10-500 Վտ;
Հիմքի նյութեր՝ BeO, AlN, Al2O3
Անվանական դիմադրության արժեքը՝ 50Ω
Դիմադրության հանդուրժողականություն՝ ±5%, ±2%, ±1%
ջերմաստիճանի գործակից՝ <150 ppm/℃
Աշխատանքային ջերմաստիճանը՝ -55~+150℃
ROHS ստանդարտ. Համապատասխանում է
Կիրառելի ստանդարտ՝ Q/RFTYTR001-2022
| Հզորություն(Արմ.) | Հաճախականություն | Չափսեր (միավոր՝ մմ) | ՀիմքՆյութ | Կարգավորում | Տվյալների թերթիկ (PDF) | ||||||
| A | B | C | D | E | F | G | |||||
| 10 Վտ | 6 ԳՀց | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | ԱլՆ | ՆԿ 2 | RFT50N-10CT2550 |
| 10 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0.76 | 1.40 | ԲեՕ | ՆԿ 1 | RFT50-10CT0404 | |
| 12 Վտ | 12 ԳՀց | 1.5 | 3 | 0.38 | 1.4 | / | 0.46 | 1.22 | ԱլՆ | ՆԿ 2 | RFT50N-12CT1530 |
| 20 Վտ | 6 ԳՀց | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | ԱլՆ | ՆԿ 2 | RFT50N-20CT2550 |
| 10 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0.76 | 1.40 | ԲեՕ | ՆԿ 1 | RFT50-20CT0404 | |
| 30 Վտ | 6 ԳՀց | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | ԱլՆ | ՆԿ 1 | RFT50N-30CT0606 |
| 60 Վտ | 6 ԳՀց | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | ԱլՆ | ՆԿ 1 | RFT50N-60CT0606 |
| 100 Վտ | 5 ԳՀց | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | ԲեՕ | ՆԿ 1 | RFT50-100CT6363 |
Չիպի ավարտ
Հիմնական տեխնիկական բնութագրերը՝
Գնահատված հզորություն՝ 10-500 Վտ;
Հիմքի նյութեր՝ BeO, AlN
Անվանական դիմադրության արժեքը՝ 50Ω
Դիմադրության հանդուրժողականություն՝ ±5%, ±2%, ±1%
ջերմաստիճանի գործակից՝ <150 ppm/℃
Աշխատանքային ջերմաստիճանը՝ -55~+150℃
ROHS ստանդարտ. Համապատասխանում է
Կիրառելի ստանդարտ՝ Q/RFTYTR001-2022
Զոդման միացման չափը՝ տե՛ս տեխնիկական բնութագրերի թերթիկը
(հարմարեցվող՝ ըստ հաճախորդի պահանջների)
| Հզորություն(Արմ.) | Հաճախականություն | Չափսեր (միավոր՝ մմ) | ՀիմքՆյութ | Տվյալների թերթիկ (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 10 Վտ | 6 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-10WT0404 |
| 8 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | ԲեՕ | RFT50-10WT0404 | |
| 10 ԳՀց | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | ԲեՕ | RFT50-10WT5025 | |
| 20 Վտ | 6 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-20WT0404 |
| 8 ԳՀց | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | ԲեՕ | RFT50-20WT0404 | |
| 10 ԳՀց | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | ԲեՕ | RFT50-20WT5025 | |
| 30 Վտ | 6 ԳՀց | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-30WT0606 |
| 60 Վտ | 6 ԳՀց | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-60WT0606 |
| 100 Վտ | 3 ԳՀց | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-100WT8957 |
| 6 ԳՀց | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-100WT8957B | |
| 8 ԳՀց | 9.0 | 6.0 | 1.4 | 1.1 | 1.5 | ԲեՕ | RFT50N-100WT0906C | |
| 150 Վտ | 3 ԳՀց | 6.35 | 9.5 | 2.0 | 1.1 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-150WT6395 |
| 9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | ԲեՕ | RFT50-150WT9595 | ||
| 4 ԳՀց | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | ԲեՕ | RFT50-150WT1010 | |
| 6 ԳՀց | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | ԲեՕ | RFT50-150WT1010B | |
| 200 Վտ | 3 ԳՀց | 9.55 | 5.7 | 2.4 | 1.0 | 1.0 | ԱլՆ | RFT50N-200WT9557 |
| 9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | ԲեՕ | RFT50-200WT9595 | ||
| 4 ԳՀց | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | ԲեՕ | RFT50-200WT1010 | |
| 10 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | ԲեՕ | RFT50-200WT1313B | |
| 250 Վտ | 3 ԳՀց | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | ԲեՕ | RFT50-250WT1210 |
| 10 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | ԲեՕ | RFT50-250WT1313B | |
| 300 Վտ | 3 ԳՀց | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | ԲեՕ | RFT50-300WT1210 |
| 10 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | ԲեՕ | RFT50-300WT1313B | |
| 400 Վտ | 2 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | ԲեՕ | RFT50-400WT1313 |
| 500 Վտ | 2 ԳՀց | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | ԲեՕ | RFT50-500WT1313 |
Չիպային ծայրային դիմադրությունները պահանջում են համապատասխան չափերի և հիմքի նյութերի ընտրություն՝ հիմնվելով տարբեր հզորության և հաճախականության պահանջների վրա: Հիմքի նյութերը սովորաբար պատրաստված են բերիլիումի օքսիդից, ալյումինի նիտրիդից և ալյումինի օքսիդից՝ դիմադրության և սխեմայի տպագրության միջոցով:
Չիպային տերմինալային դիմադրությունները կարող են բաժանվել բարակ կամ հաստ թաղանթների՝ տարբեր ստանդարտ չափսերով և հզորության տարբերակներով: Մենք կարող ենք նաև կապվել մեզ հետ՝ հաճախորդի պահանջներին համապատասխան անհատականացված լուծումներ ստանալու համար:
Մակերեսային ամրացման տեխնոլոգիան (ՄՄՏ) էլեկտրոնային բաղադրիչների փաթեթավորման տարածված ձև է, որը լայնորեն օգտագործվում է միկրոսխեմաների մակերեսային ամրացման համար: Չիպային դիմադրությունները դիմադրությունների տեսակներից մեկն են, որոնք օգտագործվում են հոսանքը սահմանափակելու, միացման դիմադրությունը և տեղական լարումը կարգավորելու համար:
Ի տարբերություն ավանդական վարդակային դիմադրությունների, միացման ծայրային դիմադրությունները կարիք չունեն միացվելու միկրոսխեմային տախտակին վարդակների միջոցով, այլ անմիջապես եռակցվում են միկրոսխեմայի մակերեսին: Այս փաթեթավորման ձևը նպաստում է միկրոսխեմաների կոմպակտության, աշխատանքի և հուսալիության բարելավմանը:
Չիպային ծայրային դիմադրությունները պահանջում են համապատասխան չափերի և հիմքի նյութերի ընտրություն՝ հիմնվելով տարբեր հզորության և հաճախականության պահանջների վրա: Հիմքի նյութերը սովորաբար պատրաստված են բերիլիումի օքսիդից, ալյումինի նիտրիդից և ալյումինի օքսիդից՝ դիմադրության և սխեմայի տպագրության միջոցով:
Չիպային տերմինալային դիմադրությունները կարող են բաժանվել բարակ կամ հաստ թաղանթների՝ տարբեր ստանդարտ չափսերով և հզորության տարբերակներով: Մենք կարող ենք նաև կապվել մեզ հետ՝ հաճախորդի պահանջներին համապատասխան անհատականացված լուծումներ ստանալու համար:
Մեր ընկերությունը մասնագիտական նախագծման և մոդելավորման մշակման համար կիրառում է HFSS միջազգային ընդհանուր ծրագրային ապահովումը: Էլեկտրաէներգիայի հուսալիությունն ապահովելու համար անցկացվել են մասնագիտացված հզորության կատարողականի փորձարկումներ: Բարձր ճշգրտության ցանցային վերլուծիչներ են օգտագործվել դրա կատարողականի ցուցանիշները ստուգելու և սկրինինգի համար, ինչի արդյունքում ստացվել է հուսալի կատարողականություն:
Մեր ընկերությունը մշակել և նախագծել է տարբեր չափերի, տարբեր հզորությունների (օրինակ՝ 2W-800W տարբեր հզորությունների) և տարբեր հաճախականությունների (օրինակ՝ 1G-18GHz 1G-18GHz 1G) մակերեսային ամրացման համար նախատեսված տերմինալային դիմադրություններ: Հաճախորդներին ողջունում ենք ընտրել և օգտագործել՝ համաձայն օգտագործման կոնկրետ պահանջների:
Մակերեսային ամրացվող անկապալային ծայրային դիմադրությունները, որոնք հայտնի են նաև որպես մակերեսային ամրացվող անկապալային դիմադրություններ, մանրացված էլեկտրոնային բաղադրիչներ են: Դրանց առանձնահատկությունն այն է, որ այն չունի ավանդական լարեր, այլ ուղղակիորեն եռակցվում է միկրոսխեմայի վրա SMT տեխնոլոգիայի միջոցով:
Այս տեսակի դիմադրությունը սովորաբար ունի փոքր չափի և թեթև քաշի առավելություններ, որոնք հնարավորություն են տալիս նախագծել բարձր խտության միացման սխեմաներ, խնայել տարածք և բարելավել համակարգի ընդհանուր ինտեգրումը: Հաղորդալարերի բացակայության պատճառով դրանք նաև ունեն ավելի ցածր պարազիտային ինդուկտիվություն և տարողություն, ինչը կարևոր է բարձր հաճախականության կիրառությունների համար, նվազեցնելով ազդանշանի խանգարումը և բարելավելով միացման սխեմայի աշխատանքը:
SMT կապարազուրկ տերմինալային դիմադրությունների տեղադրման գործընթացը համեմատաբար պարզ է, և խմբաքանակային տեղադրումը կարող է իրականացվել ավտոմատացված սարքավորումների միջոցով՝ արտադրության արդյունավետությունը բարձրացնելու համար: Դրա ջերմության ցրման աշխատանքը լավն է, ինչը կարող է արդյունավետորեն նվազեցնել դիմադրության կողմից առաջացող ջերմությունը շահագործման ընթացքում և բարելավել հուսալիությունը:
Բացի այդ, այս տեսակի դիմադրությունը ունի բարձր ճշգրտություն և կարող է բավարարել տարբեր կիրառական պահանջներ՝ խիստ դիմադրության արժեքներով: Դրանք լայնորեն կիրառվում են էլեկտրոնային արտադրանքներում, ինչպիսիք են պասիվ բաղադրիչներով ռադիոհաճախականության մեկուսիչները, միակցիչները, կոաքսիալ բեռները և այլ ոլորտներում:
Ընդհանուր առմամբ, SMT կապարազուրկ տերմինալային դիմադրությունները դարձել են ժամանակակից էլեկտրոնային նախագծման անփոխարինելի մաս՝ իրենց փոքր չափսերի, լավ բարձր հաճախականության կատարողականության և հեշտ տեղադրման շնորհիվ։